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Toshiba Semiconductor and Storage
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1908,LF(CT
| Artikelnummer: | RN1908,LF(CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
| Teil der Beschreibung.: | NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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| 1+ | $0.28 |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1908,LF(CT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments RN1908,LF(CT.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse US6 Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Widerstand - Basis (R1) 22kOhms Leistung - max 200mW Produkteigenschaften Eigenschaften Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Paket Tape & Reel (TR) Befestigungsart Surface Mount Frequenz - Übergang 250MHz DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA Grundproduktnummer RN1908 -
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